Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.2 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 819-3908
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2301ES-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.441 | CHF.8.93 |
| 200 - 480 | CHF.0.42 | CHF.8.40 |
| 500 - 980 | CHF.0.378 | CHF.7.58 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.357 | CHF.7.14 |
| 2000 + | CHF.0.336 | CHF.6.70 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 819-3908
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2301ES-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.02mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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