Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.2 A 3 W, 3-Pin SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
177-7625
Herst. Teile-Nr.:
SQ2301ES-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

SQ Rugged

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

3W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.02mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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