Vishay IRFZ48R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 190 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 281-6035
- Distrelec-Artikelnummer:
- 171-17-666
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ48RPBF
- Marke:
- Vishay
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- 281-6035
- Distrelec-Artikelnummer:
- 171-17-666
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ48RPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFZ48R | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.018Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFZ48R | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.018Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von Vishay nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Es ist ein effizientes und zuverlässiges Gerät für verschiedene Anwendungen aufgrund seiner schnellen Schaltgeschwindigkeit und seiner robusten Bauweise.
Erweiterte Prozesstechnologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Dynamische dV/dt-Nennleistung
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