Vishay IRFZ48R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 190 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 281-6036
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-42-108
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ48RPBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.3.339 | CHF.16.67 |
| 50 - 95 | CHF.2.919 | CHF.14.60 |
| 100 - 245 | CHF.2.604 | CHF.13.03 |
| 250 - 495 | CHF.2.457 | CHF.12.29 |
| 500 + | CHF.2.289 | CHF.11.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 281-6036
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-42-108
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ48RPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | IRFZ48R | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.018Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie IRFZ48R | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.018Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von Vishay nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Es ist ein effizientes und zuverlässiges Gerät für verschiedene Anwendungen aufgrund seiner schnellen Schaltgeschwindigkeit und seiner robusten Bauweise.
Erweiterte Prozesstechnologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Dynamische dV/dt-Nennleistung
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