Vishay IRFZ48R N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 190 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 281-6036
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-42-108
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ48RPBF
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 100 - 245 | CHF 2.141 | CHF 10.72 |
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- RS Best.-Nr.:
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- 304-42-108
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- IRFZ48RPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFZ48R | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.018Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFZ48R | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.018Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie IRFZ48R von Vishay, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFZ48RPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Durchsteck-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in industrieller und gewerblicher Elektronik vorgesehen ist. Es ist für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich ausgelegt und eignet sich für anspruchsvolle Umgebungen, in denen hohe Strombelastbarkeit und robuste thermische Leistung erforderlich sind. Das Gerät verfügt über eine Verstärkungsmodus-Kanalsteuerung für eine effiziente Leitung in Stromkreisen.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,018 Ω reduziert Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 50 A unterstützt schwere Lasten
• Maximale Verlustleistung von 190 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Maximale Ablass-Quellenspannung 60 V ermöglicht Mittelspannungssysteme
• Eine typische Gate-Ladung von 110 nC ermöglicht ein vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Gate-Source-Bewertung von 20 V bietet Standard-Gate-Drive-Kompatibilität
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 50 A unterstützt schwere Lasten
• Maximale Verlustleistung von 190 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Maximale Ablass-Quellenspannung 60 V ermöglicht Mittelspannungssysteme
• Eine typische Gate-Ladung von 110 nC ermöglicht ein vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Gate-Source-Bewertung von 20 V bietet Standard-Gate-Drive-Kompatibilität
Anwendungen
• Wird für Motorantriebsstufen in industriellen Steuerungen verwendet
• Geeignet für DC/DC-Wandler und Netzteile
• Ideal für Schaltmodus-Leistungsverstärkerschaltungen
• Kann für Batteriemanagement- und Schutzsysteme verwendet werden
• Wird mit Kühlkörperbaugruppen in Hochleistungsmodulen verwendet
• Geeignet für DC/DC-Wandler und Netzteile
• Ideal für Schaltmodus-Leistungsverstärkerschaltungen
• Kann für Batteriemanagement- und Schutzsysteme verwendet werden
• Wird mit Kühlkörperbaugruppen in Hochleistungsmodulen verwendet
Welche Befestigungsmethode ist für die Montage erforderlich?
Er wird in einem TO-220AB-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage und die gemeinsame Kühlkörperbefestigung konfiguriert ist.
Wie verhält es sich bei extremen Umgebungstemperaturen?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter rauen thermischen Bedingungen, ohne die grundlegende Funktionalität zu beeinträchtigen.
Welche Überlegungen zum Gate-Drive werden empfohlen?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V
sollten Entwickler die Antriebsamplitude entsprechend begrenzen und bei der Dimensionierung der Gate-Treiber die typische Gate-Ladung von 110 nC berücksichtigen.
Wie sollte das Wärmemanagement in Hochleistungsdesigns angegangen werden?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 190 W sollten Sie geeignete Kühlkörper und Wärmeleitmaterialien einführen und Leiterplatten-Wärmeleitungen in Betracht ziehen, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb der Grenzen zu halten.
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