STMicroelectronics MASTERG Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6.5 A 40 mW, 31-Pin QFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 287-7042
- Herst. Teile-Nr.:
- MASTERGAN4LTR
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 287-7042
- Herst. Teile-Nr.:
- MASTERGAN4LTR
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | QFN-9 | |
| Serie | MASTERG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 31 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 300mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, ECOPACK | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße QFN-9 | ||
Serie MASTERG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 31 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, ECOPACK | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der STMicroelectronics-Mikrocontroller ist ein fortschrittliches Leistungssystem in einem Gehäuse, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in Halbbrückenkonfiguration integriert. Die integrierten Leistungs-GaNs haben einen RDS(ON) von 225 mΩ und eine Drain-Source-Sperrspannung von 650 V, während die hohe Seite des eingebetteten Gate-Treibers problemlos von der integrierten Bootstrap-Diode versorgt werden kann.
Nullverlust bei Rückwärtsfahrt
UVLO-Schutz bei VCC
Interne Bootstrap-Diode
Interlocking-Funktion
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