STMicroelectronics STP80N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 5 A 62 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 287-7047
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80N1K1K6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.4.626
Auf Lager
- Zusätzlich 298 Einheit(en) mit Versand ab 20. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.313 | CHF.4.63 |
| 20 - 98 | CHF.1.879 | CHF.3.77 |
| 100 - 198 | CHF.1.434 | CHF.2.87 |
| 200 + | CHF.1.273 | CHF.2.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 287-7047
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80N1K1K6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | STP80N | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie STP80N | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt, die auf der 20-jährigen Erfahrung von STMicroelectronics mit der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist das beste in der Klasse hinsichtlich des Widerstands pro Fläche und der Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Weltweit bestes FOM
Ultra niedrige Gate-Ladung
100 Prozent Avalanche getestet
Verwandte Links
- STMicroelectronics STP80N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 5 A 62 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.3 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 33 V / 62 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 11 A 35 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 68 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 12 A 115 W, 3-Pin TO-220