onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 12 A 60 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 368-3197
Herst. Teile-Nr.:: RFP12N10L
Marke:: onsemi

onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 12 A 60 W, 3-Pin TO-220

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500 - 950	CHF.0.588	CHF.29.30
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RS Best.-Nr.:: 368-3197
Herst. Teile-Nr.:: RFP12N10L
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	12A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	200mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	60W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	10 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	10.67mm
	Höhe	9.4mm
	Breite	4.83 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 60W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 10 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 10.67mm
	Höhe 9.4mm
	Breite 4.83 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 12 A 60 W, 3-Pin TO-220

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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