STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 9 A 75 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 486-0171
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF630
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.825
Auf Lager
- 75 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 145 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.565 | CHF.7.81 |
| 25 - 45 | CHF.1.491 | CHF.7.43 |
| 50 - 120 | CHF.1.334 | CHF.6.69 |
| 125 - 245 | CHF.1.197 | CHF.6.01 |
| 250 + | CHF.1.145 | CHF.5.71 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 486-0171
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF630
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | STripFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 400mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie STripFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 400mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 9.15mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 9 A 75 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 310 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 75 A 300 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 75 A 300 W, 3-Pin STB75NF75LT4 TO-263
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 75 A, 3-Pin STB75NF20 TO-263
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 75 A 190 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 330 W, 3-Pin TO-263