STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 75 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 151-920
- Herst. Teile-Nr.:
- STB75NF20
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.3.308 | CHF.6.62 |
| 20 - 198 | CHF.2.982 | CHF.5.96 |
| 200 + | CHF.2.751 | CHF.5.49 |
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- RS Best.-Nr.:
- 151-920
- Herst. Teile-Nr.:
- STB75NF20
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | STripFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.034Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 84nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | 50°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Länge | 15.85mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie STripFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.034Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 84nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. 50°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10.4 mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Länge 15.85mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics, der mit dem einzigartigen STripFET-Prozess realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um die Eingangskapazität und die Gate-Ladung zu minimieren. Er eignet sich daher als Primärschalter in fortschrittlichen, effizienten, isolierten DC/DC-Wandlern.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
100 % Avalanche-getestet
Niedrige Gate-Ladung
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