STMicroelectronics STripFET F3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 310 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF.1’344.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +CHF.1.344CHF.1’339.80

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-7785
Herst. Teile-Nr.:
STB140NF75T4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

STripFET F3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

310W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.4mm

Breite

9.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

N-Kanal STripFET™ F3, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links