STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 330 W, 3-Pin STB160N75F3 TO-263

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760-9828
Herst. Teile-Nr.:
STB160N75F3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

STripFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

85nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.75mm

Breite

10.4 mm

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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