STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 330 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 168-7477
- Herst. Teile-Nr.:
- STB160N75F3
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
CHF.2’100.00
Auf Lager
- Zusätzlich 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | CHF.2.10 | CHF.2’104.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-7477
- Herst. Teile-Nr.:
- STB160N75F3
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | STripFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.75mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie STripFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.75mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Breite 10.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 330 W, 3-Pin STB160N75F3 TO-263
- STMicroelectronics STripFET F3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 310 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET F3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 310 W, 3-Pin STB140NF75T4 TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 75 A 300 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 75 A, 3-Pin STB75NF20 TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 75 A 300 W, 3-Pin STB75NF75LT4 TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 310 W, 3-Pin STP140NF75
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-263