STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 75 A, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
151-918
Herst. Teile-Nr.:
STB75NF20
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

STripFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.034Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

84nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

50°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.85mm

Breite

10.4 mm

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics, der mit dem einzigartigen STripFET-Prozess realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um die Eingangskapazität und die Gate-Ladung zu minimieren. Er eignet sich daher als Primärschalter in fortschrittlichen, effizienten, isolierten DC/DC-Wandlern.

Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit

100 % Avalanche-getestet

Niedrige Gate-Ladung

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