STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 30 A 125 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 810-7499
- Herst. Teile-Nr.:
- STB30NF20
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.12.475
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 25. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.495 | CHF.12.48 |
| 25 - 45 | CHF.2.374 | CHF.11.87 |
| 50 - 120 | CHF.2.131 | CHF.10.67 |
| 125 - 245 | CHF.1.919 | CHF.9.60 |
| 250 + | CHF.1.828 | CHF.9.13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 810-7499
- Herst. Teile-Nr.:
- STB30NF20
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | STripFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie STripFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 30 A 125 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 75 A, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 40 A 160 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 16 A 45 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 330 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-263