Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 89 A 170 W, 3-Pin IRL3705NPBF TO-220

RS Best.-Nr.:: 540-9991
Herst. Teile-Nr.:: IRL3705NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 89 A 170 W, 3-Pin IRL3705NPBF TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.1.659

Auf Lager

123 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Zusätzlich 975 Einheit(en) mit Versand ab 13. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück
1 - 9	CHF.1.66
10 - 49	CHF.1.57
50 - 99	CHF.1.54
100 - 249	CHF.1.44
250 +	CHF.1.34

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 540-9991
Herst. Teile-Nr.:: IRL3705NPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	89A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	10mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	98nC
	Maximale Verlustleistung Pd	170W
	Gate-Source-spannung max Vgs	16 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.69 mm
	Länge	10.67mm
	Höhe	9.02mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 89A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC
	Maximale Verlustleistung Pd 170W
	Gate-Source-spannung max Vgs 16 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.69 mm
	Länge 10.67mm
	Höhe 9.02mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 89A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 170W maximale Verlustleistung - IRL3705NPBF

Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet gleichzeitig eine verbesserte Effizienz und Zuverlässigkeit. Dank der fortschrittlichen HEXFET-Technologie zeichnet er sich durch einen minimalen On-Widerstand aus und eignet sich für verschiedene Automatisierungs-, Elektronik- und Elektroanwendungen. Das Gerät arbeitet in einem weiten Temperaturbereich und gewährleistet eine effektive Leistung in unterschiedlichen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger Rds(on) von 10mΩ für erhöhte Effizienz

• Funktioniert im Erweiterungsmodus für innovative Schaltungsdesigns

• Schnelle Umschaltfunktionen für eine verbesserte Reaktionsfähigkeit des Systems

• Vollständig lawinengeprüft für Langlebigkeit in anspruchsvollen Situationen

Anwendungsbereich

• Geeignet für industrielle Energiemanagementsysteme

• Ideal für Motorantrieb in der Automatisierung

• Kompatibel mit Netzteilen, die einen geringen Wärmewiderstand erfordern

• Einsatz in DC-DC-Wandlern zur Verbesserung der Energieeffizienz

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung?

Die maximale Verlustleistung liegt bei 170 W, was ein effektives Wärmemanagement unter hohen Lastbedingungen ermöglicht.

Ist es für hohe Temperaturen geeignet?

Dieses Gerät kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C arbeiten und ist damit für eine Vielzahl von Hochtemperaturszenarien geeignet.

Welche Bedeutung hat der Bereich der Gate-Schwellenspannung?

Die Gate-Schwellenspannung reicht von 1V bis 2V, was für die Bestimmung der Ein-/Aus-Zustände bei verschiedenen Gate-Ansteuerspannungen wichtig ist.

Welche Überlegungen gibt es für die Verwendung in einer Schaltung?

Achten Sie darauf, dass die Gate-to-Source-Spannung ±16 V nicht überschreitet, um Schäden zu vermeiden und eine optimale Funktionalität zu gewährleisten.