Vishay IRFP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7.8 A 190 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 541-1089
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFPE50PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.5.595
Auf Lager
- Zusätzlich 13 Einheit(en) mit Versand ab 03. September 2026
- Zusätzlich 256 Einheit(en) mit Versand ab 10. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 5.60 |
| 10 - 24 | CHF 4.83 |
| 25 - 49 | CHF 4.47 |
| 50 - 99 | CHF 4.20 |
| 100 + | CHF 3.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 541-1089
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFPE50PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | IRFP | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 200nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.87mm | |
| Breite | 5.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie IRFP | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 200nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 20.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.87mm | ||
Breite 5.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRFP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7.8 A 190 W, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 16 A 190 W, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 190 W, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 5.4 A 150 W, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 15 A 150 W, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 22 A 277 W, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 23 A 280 W, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 21 A 180 W, 3-Pin TO-247