Vishay IRFP9240 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung -200 V / -12 A 150 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 178-0786
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP9240PBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF 2.252 | CHF 56.36 |
| 50 - 100 | CHF 2.121 | CHF 52.98 |
| 125 + | CHF 1.919 | CHF 47.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0786
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP9240PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -200V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Serie | IRFP9240 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Durchlassspannung Vf | -5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.31mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -200V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Serie IRFP9240 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Durchlassspannung Vf -5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.31mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 20.7mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFP9240 von Vishay, 150 W maximale Verlustleistung, -200 V maximale Drain-Source-Spannung - IRFP9240PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-P-Kanal-Schalttransistor, der für Leistungsmanagement- und Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und wird in einem Durchsteckgehäuse geliefert, das für die robuste Leiterplattenmontage geeignet ist. Das Gerät ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine hohe Leistungsaufnahme und P-Kanal-Topologie für High-Side-Schaltungen oder polarspezifische Anordnungen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von –200 V Drain‐Source ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• P-Kanal-Enhancement-Modus vereinfacht High-Side-Schaltanordnungen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 12 A unterstützt mäßige Hochstromlasten
• 150 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Maximale Rds(on) von 500 mΩ reduziert Leitungsverluste unter Last
• Eine typische Gate-Ladung von 44 nC sorgt für vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• P-Kanal-Enhancement-Modus vereinfacht High-Side-Schaltanordnungen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 12 A unterstützt mäßige Hochstromlasten
• 150 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Maximale Rds(on) von 500 mΩ reduziert Leitungsverluste unter Last
• Eine typische Gate-Ladung von 44 nC sorgt für vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsschienen und Polaritätsschutz
• Ideal für High-Side-Schalter in Gleichstromverteilungssystemen
• Wird mit Gate-Treibern verwendet, die eine moderate Ladungsaufnahme erfordern
• Kann für industrielle Stromversorgungsmodule und -versorgungen verwendet werden
• Geeignet für diskrete Leistungsstufen in Wandlern
• Ideal für High-Side-Schalter in Gleichstromverteilungssystemen
• Wird mit Gate-Treibern verwendet, die eine moderate Ladungsaufnahme erfordern
• Kann für industrielle Stromversorgungsmodule und -versorgungen verwendet werden
• Geeignet für diskrete Leistungsstufen in Wandlern
Welche Montageart ist für das Wärmemanagement erforderlich?
Er wird in einem TO‐247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für die Kühlkörpermontage auf einem Chassis oder speziellen Kühlkörpern vorgesehen ist, um die Wärme effektiv abzuleiten.
Welche Gate-Drive-Spannungsbeschränkungen muss ich beachten?
Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber innerhalb dieses Bereichs begrenzt werden sollten, um eine Überlastung des Gates zu vermeiden.
Wie wirkt sich die Temperatur auf die Betriebsgrenzen aus?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt, sodass die Reduzierung und das thermische Design erhöhten Sperrschichttemperaturen Rechnung tragen sollten.
Wie viele elektrische Anschlüsse sind für die Schaltungsintegration vorhanden?
Das Gerät verfügt über drei Pins für Drain-, Gate- und Quellenanschluss, die mit den Standard-Diskrete-MOSFET-Implementierungen übereinstimmen.
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