Vishay IRFPG50 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1 kV / 6.1 A 190 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 178-0788
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFPG50PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
CHF.92.425
- 500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.3.697 | CHF.92.42 |
| 50 - 100 | CHF.3.586 | CHF.89.64 |
| 125 + | CHF.3.434 | CHF.85.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0788
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFPG50PBF
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Serie | IRFPG50 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 190nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.31mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Serie IRFPG50 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 190nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 20.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.31mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFPG50 von Vishay, 1000 V Drain-Quellenspannung, 6,1 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFPG50PBF
Merkmale und Vorteile:
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 6,1 A ermöglicht eine dauerhafte Lastverarbeitung
• Drain-Source-Eingangswiderstand von 2 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 190 W ermöglicht einen höheren Leistungsdurchsatz
• Typische Gate-Ladung von 190 nC unterstützt vorhersehbares Schaltverhalten
• Gate-Source-Grenzwert von 20 V schützt das Gate vor übermäßiger Antriebsspannung
Anwendungen
• Ideal für Schaltnetzteile, die robuste Spannungsbereiche erfordern
• Wird mit Leistungswandlern in industriellen elektrischen Schalttafeln verwendet
• Kann für Lastschaltvorgänge in mechanischen Betätigungssystemen verwendet werden
Welche Befestigungsmethode ist für die Installation erforderlich?
Wie verhält es sich in Umgebungen mit extremen Temperaturen?
Welche Einschränkungen des Gate-Antriebs sind zu beachten?
Welche Überlegungen zum Wärmemanagement sind erforderlich?
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