Vishay IRFP064 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 70 A 300 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 815-2742
Herst. Teile-Nr.:: IRFP064PBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFP064 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 70 A 300 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:: 815-2742
Herst. Teile-Nr.:: IRFP064PBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	70A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	IRFP064
	Gehäusegröße	TO-247AC
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	190nC
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	5.31mm
	Länge	15.87mm
	Höhe	20.82mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie IRFP064
	Gehäusegröße TO-247AC
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 190nC
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 5.31mm
	Länge 15.87mm
	Höhe 20.82mm
	Automobilstandard Nein

Leistungs-MOSFET der Serie IRFP064 von Vishay, 60 V Drain-Source-Spannung, 70 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFP064PBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochstrom-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Leistungsmanagementfunktionen vorgesehen ist, bei denen thermische Widerstandsfähigkeit und geringe Leitungsverluste erforderlich sind. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät in einem TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung, wurde für die Montage auf einer Kühlkörperplatine entwickelt und wird dort eingesetzt, wo robuste Gate-Antriebe und erhebliche Ablassströme erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Ableiterspannung von 60 V ermöglicht Leistungsdesigns mit mittlerer Spannung
• 70 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Niedrige Rds(on) von 9 mΩ minimiert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• Die Verlustleistung von 300 W ermöglicht einen erheblichen Wärmemanagement
• Die typische Gate-Ladung von 190 nC gleicht die Schaltgeschwindigkeit und den Antriebsaufwand aus
• Eine Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen

• Geeignet für Motorsteuerungs-Wechselrichterstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Geräten
• Wird mit Leistungsverstärkern verwendet, bei denen ein thermischer Durchmesser erforderlich ist
• Kann für USV- und Batterieumwandlungsstromkreise verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-Gleichstromverteilung und Busschaltung

Welchen Temperaturbereich kann er im Dauerbetrieb vertragen?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und unterstützt Designs, die großen thermischen Schwankungen ausgesetzt sind.

Wie viele Anschlüsse bietet es für die Leiterplattenmontage?

Das Gerät verwendet eine dreipolige Konfiguration im Durchsteckformat für eine sichere Lötmontage.

Welche Relevanz hat die Durchlassspannungseigenschaft für die Diodenleitung?

Das Gerät weist eine Durchlassspannung von 3 V in seinem Body-Diode-Leitungsmodus auf, was sich auf die umgekehrte Erholung und die Leitungsverluste auswirkt.

Ist er für Anwendungen in Automobilqualität vorgesehen?

Es ist nicht als Kfz-Standardgerät klassifiziert, daher sollte es vor der Verwendung in Fahrzeugsystemen anhand von Kfz-Qualifizierungsanforderungen bewertet werden.