Vishay IRF644 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 14 A 125 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 542-9305
- Distrelec-Artikelnummer:
- 301-91-567
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF644PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.2.283
Auf Lager
- 3 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 932 Einheit(en) mit Versand ab 06. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.2.28 |
| 10 - 49 | CHF.1.93 |
| 50 - 99 | CHF.1.83 |
| 100 - 249 | CHF.1.72 |
| 250 + | CHF.1.58 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 542-9305
- Distrelec-Artikelnummer:
- 301-91-567
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF644PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | IRF644 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie IRF644 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRF644 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 14 A 125 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 14 A, 3-Pin TO-220
- onsemi NTN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 220 mA 125 mW, 3-Pin xDFN3
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 197 A 250 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 171 A 125 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF840LC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF840A Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220