Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 209 A 470 W, 3-Pin TO-247

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303-41-348
Herst. Teile-Nr.:
IRFP2907PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

209A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

470W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

410nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.3mm

Länge

15.9mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.3 mm

Automobilstandard

Nein

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