Infineon LogicFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 104 A 200 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 543-1544
Distrelec-Artikelnummer:: 302-84-081
Herst. Teile-Nr.:: IRL2505PBF
Marke:: Infineon

Infineon LogicFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 104 A 200 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich

Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.

RS Best.-Nr.:: 543-1544
Distrelec-Artikelnummer:: 302-84-081
Herst. Teile-Nr.:: IRL2505PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	104A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Gehäusegröße	JEDEC TO-220AB
	Serie	LogicFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	200W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	130nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-16V, +16V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.69mm
	Länge	10.54mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	8.77mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 104A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Gehäusegröße JEDEC TO-220AB
	Serie LogicFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 200W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 130nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.69mm
	Länge 10.54mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 8.77mm
	Automobilstandard Nein

Infineon LogicFET Series MOSFET, 104A Maximum Continuous Drain Current, 200W Maximum Power Dissipation - IRL2505PBF

This MOSFET is designed for high-performance applications that require efficient energy management. With a maximum continuous drain current of 104A and a drain-source voltage capability of up to 55V, it is a competitive option for the market. Its robust construction and Advanced specifications make it suitable for various automation and electronic applications.

Features & Benefits

• Low on-resistance of 8mΩ reduces heat generation

• Maximum power dissipation of 200 W enhances performance

• Through-hole mounting style allows for easier integration

• Low gate charge requirement improves operational efficiency

• Enhancement mode design ensures performance in challenging conditions

Applications

• Power switching for effective control

• Motor driving circuits for speed and torque regulation

• Automated systems requiring high current management

• Power supplies and conversion circuits to maintain stable output

• Industrial machinery for enhanced power handling

What is the gate threshold voltage for use?

The gate threshold voltage is between 1V and 2V, providing flexibility for various applications.

How does temperature affect performance?

This device can operate effectively within a temperature range of -55°C to +175°C, making it suitable for harsh environmental conditions.

Can it handle pulsed current operations?

Yes, it can manage pulsed drain currents up to 360A, ensuring reliability during short-duration applications.

What level of voltage can be managed across the drain-source?

It supports a maximum voltage of 55V, which is Ideal for most general-purpose applications.

Is specific handling required during installation?

Standard precautions should be observed, such as avoiding excessive heat during soldering and maintaining a suitable operating environment to ensure longevity.