DiodesZetex ZXMN3A01F N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 669-7385
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN3A01FTA
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.10.35
Auf Lager
- 25 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 3'925 Einheit(en) mit Versand ab 15. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | CHF 0.414 | CHF 10.28 |
| 150 - 725 | CHF 0.333 | CHF 8.43 |
| 750 - 1475 | CHF 0.283 | CHF 7.15 |
| 1500 + | CHF 0.232 | CHF 5.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 669-7385
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN3A01FTA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | ZXMN3A01F | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 806mW | |
| Durchlassspannung Vf | 0.95V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.9nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3.05mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie ZXMN3A01F | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 806mW | ||
Durchlassspannung Vf 0.95V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.9nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3.05mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex ZXMN3A01F Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.1 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.7 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.6 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.2 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.4 A 806 mW, 3-Pin SOT-23