DiodesZetex ZXMP10A13F Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 700 mA 806 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 669-7616
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMP10A13FTA
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | CHF.0.465 | CHF.11.67 |
| 150 - 725 | CHF.0.384 | CHF.9.70 |
| 750 - 1475 | CHF.0.323 | CHF.8.20 |
| 1500 + | CHF.0.273 | CHF.6.72 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 669-7616
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMP10A13FTA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 700mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | ZXMP10A13F | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -0.95V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 806mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3.05mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 700mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie ZXMP10A13F | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -0.95V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 806mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3.05mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
P-Kanal-MOSFET, 100 V bis 450 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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