onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 750 mA, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 671-0362
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG8850NZ
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 750mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 400mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12, -12V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Breite | 1.25mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 750mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 400mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12, -12V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Breite 1.25mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
PowerTrench® Dual-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON-PowerTrench®-MOSFETs von Semis sind optimierte Leistungsschalter, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückwärtserholung und eine weiche Rückwärtserholungsdiode, um zum schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.
Die Weichkörper-Diodenleistung der PowerTrench®-MOSFETs ist in der Lage, Snubber-Schaltkreise zu beseitigen oder einen MOSFET mit höherer Nennspannung zu ersetzen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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