onsemi NDS331 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 671-1078
- Herst. Teile-Nr.:
- NDS331N
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.2.52
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.504 | CHF.2.53 |
| 50 - 95 | CHF.0.441 | CHF.2.18 |
| 100 - 495 | CHF.0.378 | CHF.1.89 |
| 500 - 995 | CHF.0.336 | CHF.1.66 |
| 1000 + | CHF.0.305 | CHF.1.51 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-1078
- Herst. Teile-Nr.:
- NDS331N
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | NDS331 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 0.94mm | |
| Länge | 2.92mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie NDS331 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 0.94mm | ||
Länge 2.92mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
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MOSFET-Transistoren, ON Semi
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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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