STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 2.3 A 45 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 687-5178
- Herst. Teile-Nr.:
- STD3NK50ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.7.88
Auf Lager
- Zusätzlich 3’220 Einheit(en) mit Versand ab 20. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 + | CHF.0.788 | CHF.7.83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5178
- Herst. Teile-Nr.:
- STD3NK50ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.2 mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 2.3 A 45 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 4.4 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 800 V / 1 A 45 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 2 A 45 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STD5N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 3.5 A 45 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 45 A 60 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 45 A 417 W, 3-Pin TO-247