STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 687-5346
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-35-976
- Herst. Teile-Nr.:
- STP7NK80Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.26
Auf Lager
- 1'865 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.252 | CHF.11.25 |
| 50 - 245 | CHF.1.404 | CHF.7.01 |
| 250 - 495 | CHF.1.071 | CHF.5.34 |
| 500 + | CHF.0.96 | CHF.4.78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5346
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-35-976
- Herst. Teile-Nr.:
- STP7NK80Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.15mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 25 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6.2 A 30 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 9 A 40 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 80 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.3 A 30 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 70 W, 3-Pin TO-220