Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
IRFP4110PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

370W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.7mm

Breite

5.31 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.87mm

Automobilstandard

Nein

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon


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