DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 6.4 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 708-2469
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMP4A16GTA
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.8.08
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 28'770 Einheit(en) mit Versand ab 29. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.808 | CHF.8.10 |
| 50 - 240 | CHF.0.707 | CHF.7.04 |
| 250 - 490 | CHF.0.596 | CHF.5.96 |
| 500 + | CHF.0.485 | CHF.4.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-2469
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMP4A16GTA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.9W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.9W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.8mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
P-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 6.4 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 3.7 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex ZXMP10A18G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.7 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex ZXMP6A17G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.3 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 3.8 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex ZXMN6A09G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.5 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex ZXMN10A25G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223