DiodesZetex ZXMN6A11G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.4 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 708-2526
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN6A11GTA
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.725 | CHF.3.61 |
| 50 - 95 | CHF.0.42 | CHF.2.10 |
| 100 - 245 | CHF.0.378 | CHF.1.88 |
| 250 - 495 | CHF.0.315 | CHF.1.60 |
| 500 + | CHF.0.273 | CHF.1.36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-2526
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN6A11GTA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | ZXMN6A11G | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.9W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.95V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie ZXMN6A11G | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.9W | ||
Durchlassspannung Vf 0.95V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.7 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.8mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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