DiodesZetex ZXMN6A09G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.5 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 708-2589
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN6A09GTA
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | CHF.1.439 | CHF.7.21 |
| 15 - 45 | CHF.1.281 | CHF.6.42 |
| 50 - 245 | CHF.1.124 | CHF.5.64 |
| 250 - 495 | CHF.0.977 | CHF.4.87 |
| 500 + | CHF.0.809 | CHF.4.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-2589
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN6A09GTA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | ZXMN6A09G | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24.2nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.95V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.9W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie ZXMN6A09G | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24.2nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.95V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.9W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.8mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Breite 3.7 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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