Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4.3 A 25 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 708-4884
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLU110PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.19
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.638 | CHF.8.18 |
| 50 - 120 | CHF.1.313 | CHF.6.54 |
| 125 - 245 | CHF.1.229 | CHF.6.13 |
| 250 - 495 | CHF.1.061 | CHF.5.31 |
| 500 + | CHF.0.987 | CHF.4.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-4884
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLU110PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.76Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±10 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Breite | 2.38 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montageart Durchsteckmontage, Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.76Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±10 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Breite 2.38 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4.3 A 25 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay IRFU Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4.3 A 25 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay IRFU Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4.3 A 25 W, 3-Pin IRFU110PBF IPAK (TO-251)
- onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin RFD14N05L IPAK (TO-251)
- Vishay Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 3.1 A 42 W, 3-Pin IRFU9110PBF IPAK (TO-251)
- onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 3.7 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 3.7 A 45 W, 3-Pin FQU5P20TU IPAK (TO-251)
- onsemi Einfach SuperFET II Typ N-Kanal 1 MOSFET 600 V Erweiterung / 4.5 A 52 W, 3-Pin IPAK (TO-251) FCU900N60Z