onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 3.7 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 862-8782
- Herst. Teile-Nr.:
- FQU5P20TU
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Serie | QFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 200 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 3.7 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 45 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 5 V | |
| Höhe | 7.57 mm | |
| Länge | 6.8 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 1.4 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 10 nC | |
| Breite | 2.5 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Serie QFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 200 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 3.7 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 45 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 5 V | ||
Höhe 7.57 mm | ||
Länge 6.8 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 1.4 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 10 nC | ||
Breite 2.5 mm | ||
QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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