Vishay Si2301CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 860 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 710-3238
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2301CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.6.52
Nur noch Restbestände
- Zusätzlich 200 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
- Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
- Die letzten 2’680 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.326 | CHF.6.47 |
| 200 - 480 | CHF.0.263 | CHF.5.19 |
| 500 - 980 | CHF.0.189 | CHF.3.89 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.158 | CHF.3.23 |
| 2000 + | CHF.0.147 | CHF.2.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 710-3238
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2301CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | Si2301CDS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 112mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 860mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie Si2301CDS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 112mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 860mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Si2301CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 860 mW, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 2.3 W, 3-Pin SI2303CDS-T1-GE3 SOT-23
- Vishay Si2308BDS Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 2.3 A 1.66 W, 3-Pin SI2308BDS-T1-GE3 SOT-23
- Vishay Si2305CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 4.4 A 960 mW, 3-Pin SI2305CDS-T1-GE3 SOT-23
- Vishay TP0610K Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 185 mA 350 mW, 3-Pin TP0610K-T1-GE3 SOT-23
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.1 A 1 W, 3-Pin SI2301CDS-T1-E3 SOT-23
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 2.3 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 6.1 A, 3-Pin SI2393DS-T1-GE3 SOT-23