Vishay Si2309CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -60 V / 1.2 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 710-3250
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2309CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -60V | |
| Serie | Si2309CDS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 345mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.7W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -60V | ||
Serie Si2309CDS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 345mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.7W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie Si2309CDS von Vishay, -60 V Drain-Quellenspannung, 1,2 A kontinuierlicher Drain-Strom – SI2309CDS-T1-GE3
Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Transistor, der für Schalt- und Steuerungsaufgaben in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Mode-Gerät, das für Schaltkreise mit niedrigem bis mittlerem Strom geeignet ist und ein Gleichgewicht zwischen Spannungsbelastbarkeit und thermischer Beständigkeit für industrielle Anwendungen bietet.
Merkmale und Vorteile:
• -60 V max. Vds für Hochspannungsschaltfähigkeit • 1,2 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Lastverarbeitung • 345 mΩ Rds(on) für vorhersehbare Leitungsverluste • 2,7 nC typische Gate-Ladung für effiziente Gate-Ansteuerung • 1,7 W Verlustleistung zur Unterstützung der thermischen Budgetplanung • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C für Umgebungen mit breitem Temperaturbereich
Anwendungen
• Geeignet für Lastschaltvorgänge in Automationssteuerungsmodulen • Ideal für Power-Rail-Verpolungsschutzschaltkreise • Wird mit Batteriemanagement- und Stromverteilerplatinen verwendet • Kann für Pegelverschiebungs- und Kleinsignal-Leistungsstufen verwendet werden
Welcher Gehäusetyp wird für kompakte Leiterplattenlayouts verwendet?
Es wird in einem SOT‐23-Gehäuse geliefert, das für die Drei-Pin-Oberflächenmontage konfiguriert ist und eine dichte Leiterplattenmontage ermöglicht.
Wie erfüllt das Gerät die Anforderungen an die Gate-Ansteuerung?
Das Gate kann innerhalb eines Bereichs von ±20 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden, was die Kompatibilität mit gängigen Steuerspannungen ermöglicht und gleichzeitig die Gate-Spannung begrenzt.
Welche thermischen Überlegungen sollte ich bei der Konstruktion zulassen?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 1,7 W sollten Leiterplattenkupfer und Wärmeleitungen so dimensioniert sein, dass sie die Sperrschichttemperatur unter Last innerhalb des angegebenen Bereichs von -55 °C bis 150 °C bewältigen.
Gibt es Umwelt- oder Materialbeschränkungen zu beachten?
Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen, was bedeutet, dass in ihrer Herstellung eingeschränkte gefährliche Stoffe kontrolliert werden.
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