Vishay P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 20 V / 2.2 A 700 mW, 3-Pin SOT-23

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
710-4660
Herst. Teile-Nr.:
SI2301BDS-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

2.2 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-23

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

100 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.45V

Verlustleistung max.

700 mW

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

4,5 nC @ 4,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

3.04mm

Breite

1.4mm

Höhe

1.02mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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