Vishay SUM45N25-58 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 45 A 3.75 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 710-5026
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM45N25-58-E3
- Marke:
- Vishay
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- SUM45N25-58-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | SUM45N25-58 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 58mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.75W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 95nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie SUM45N25-58 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 58mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.75W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 95nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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