Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.7 A 1.25 W, 3-Pin IRLML0060TRPBF SOT-23

RS Best.-Nr.:: 725-9341
Herst. Teile-Nr.:: IRLML0060TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.7 A 1.25 W, 3-Pin IRLML0060TRPBF SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 725-9341
Herst. Teile-Nr.:: IRLML0060TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	92mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	2.5nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	16 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.25W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3.04mm
	Höhe	1.02mm
	Breite	1.4 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße SOT-23
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 92mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.5nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 16 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.25W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3.04mm
	Höhe 1.02mm
	Breite 1.4 mm
	Automobilstandard Nein

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