onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 57 A 44 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.5.20

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 50 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 6’555 Einheit(en) mit Versand ab 27. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.1.04CHF.5.22
50 - 95CHF.0.903CHF.4.49
100 - 495CHF.0.777CHF.3.90
500 - 995CHF.0.683CHF.3.42
1000 +CHF.0.62CHF.3.11

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
739-0177
Herst. Teile-Nr.:
FDD8447L
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

57A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

44W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22 mm

Höhe

2.39mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Kfz-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links