DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 12.2 A 8.49 W, 3-Pin DMN4036LK3-13 TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 751-4199
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN4036LK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 25 - 50 | CHF.0.515 | CHF.12.79 |
| 75 - 225 | CHF.0.473 | CHF.11.74 |
| 250 - 475 | CHF.0.452 | CHF.11.39 |
| 500 - 975 | CHF.0.441 | CHF.11.13 |
| 1000 + | CHF.0.431 | CHF.10.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 751-4199
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN4036LK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | DMN | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 61mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.96V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 8.49W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie DMN | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 61mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.96V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 8.49W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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