DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 5.7 A 9.25 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 751-5376
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMP7A17KTC
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.8.18
Vorübergehend ausverkauft
- 4'000 Einheit(en) mit Versand ab 11. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | CHF.0.818 | CHF.8.22 |
| 30 - 120 | CHF.0.768 | CHF.7.69 |
| 130 - 620 | CHF.0.717 | CHF.7.14 |
| 630 - 1240 | CHF.0.657 | CHF.6.59 |
| 1250 + | CHF.0.606 | CHF.6.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 751-5376
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMP7A17KTC
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 70V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 9.25W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.85V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 70V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 9.25W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.85V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 5.7 A 9.25 W, 3-Pin TO-252
- onsemi FQD7P20TM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 5.7 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 5.7 A 2.4 W, 8-Pin PowerDI5060
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 150 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9.9 A 9.5 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 6.1 A 8.5 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 55 A 1.73 W, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 79 A 1.73 W, 3-Pin TO-252