Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 260 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 752-8237P
Herst. Teile-Nr.:: BSP92PH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 260 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	260mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Gehäusegröße	SOT-223
	Serie	SIPMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	20Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	1.8W
	Durchlassspannung Vf	83V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.3nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.6mm
	Länge	6.5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 260mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Gehäusegröße SOT-223
	Serie SIPMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 20Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 1.8W
	Durchlassspannung Vf 83V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.6mm
	Länge 6.5mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs

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· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)

· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

MOSFET-Transistoren, Infineon

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Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 260 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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