Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 240 V / 260 mA 1 W, 3-Pin SOT-89

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.42.40

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 40 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
100 - 240CHF.0.424
250 - 490CHF.0.414
500 - 990CHF.0.384
1000 +CHF.0.242

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
752-8249P
Herst. Teile-Nr.:
BSS87H6327FTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

260mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

240V

Gehäusegröße

SOT-89

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

4.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.