Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin IPW60R099CPFKSA1 TO-247

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753-3065
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R099CPFKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS CP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Maximale Verlustleistung Pd

255W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

16.13mm

Höhe

21.1mm

Breite

5.21 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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