Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 15 A 156 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 753-3144
- Distrelec-Artikelnummer:
- 303-41-444
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA15N60C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.3.717
Nur noch Restbestände
- 6 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Die letzten 1 Einheit(en) mit Versand ab 05. Februar 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.3.72 |
| 10 - 24 | CHF.3.53 |
| 25 - 49 | CHF.3.36 |
| 50 - 99 | CHF.3.23 |
| 100 + | CHF.3.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 753-3144
- Distrelec-Artikelnummer:
- 303-41-444
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA15N60C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.28Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.85 mm | |
| Höhe | 9.83mm | |
| Länge | 10.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.28Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.85 mm | ||
Höhe 9.83mm | ||
Länge 10.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 15 A 156 W, 3-Pin TO-220FP
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 40 W, 3-Pin SPA08N80C3XKSA1 TO-220FP
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 10.3 A 28 W, 3-Pin TO-220FP
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 800 V / 11 A 34 W, 3-Pin TO-220FP
- Infineon Einfach CoolMOS C3 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 900 V Erweiterung / 15 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin SPP11N80C3XKSA1 TO-220