Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 40 A 35 W, 8-Pin BSZ097N04LSGATMA1 TSDSON

RS Best.-Nr.:: 754-5367
Herst. Teile-Nr.:: BSZ097N04LSGATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 40 A 35 W, 8-Pin BSZ097N04LSGATMA1 TSDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.3.52

Auf Lager

26’605 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	CHF.0.704	CHF.3.52
50 - 120	CHF.0.63	CHF.3.14
125 - 245	CHF.0.588	CHF.2.95
250 - 495	CHF.0.389	CHF.1.94
500 +	CHF.0.315	CHF.1.58

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 754-5367
Herst. Teile-Nr.:: BSZ097N04LSGATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	TSDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	14.2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	18nC
	Maximale Verlustleistung Pd	35W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.4mm
	Höhe	1.1mm
	Breite	3.4 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein
	Distrelec Product Id	304-45-305

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße TSDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC
	Maximale Verlustleistung Pd 35W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.4mm
	Höhe 1.1mm
	Breite 3.4 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein
	Distrelec Product Id 304-45-305

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen

N-Kanal, Logikebene

Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)

Sehr geringer Widerstand R DS(ON)

Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 40 A 35 W, 8-Pin BSZ097N04LSGATMA1 TSDSON

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V

MOSFET-Transistoren, Infineon

Verwandte Links