onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin FDB52N20TM TO-263

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759-8983
Herst. Teile-Nr.:
FDB52N20TM
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

UniFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

49mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

357W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

9.98mm

Breite

10.16 mm

Höhe

4.572mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


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MOSFET-Transistoren, ON Semi


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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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