onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 759-8983
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB52N20TM
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Lieferengpass
Aufgrund eines weltweiten Versorgungsengpasses können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 759-8983
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB52N20TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | UniFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 49mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 357W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 9.98mm | |
| Höhe | 4.572mm | |
| Breite | 10.16 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie UniFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 49mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 357W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 9.98mm | ||
Höhe 4.572mm | ||
Breite 10.16 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-263
- Fairchild Semiconductor UniFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-220AB
- onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 44 A 307 W, 3-Pin TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 33 A 235 W, 3-Pin TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 15 A 300 W, 3-Pin TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 300 V / 28 A 250 W, 3-Pin TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 15 A 300 W, 3-Pin FDB15N50 TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 300 V / 28 A 250 W, 3-Pin FDB28N30TM TO-263