onsemi UniFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 166-2543
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB52N20TM
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-2543
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB52N20TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | UniFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 49mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 357W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 10.16mm | |
| Höhe | 4.572mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 9.98mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie UniFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 49mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 357W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 10.16mm | ||
Höhe 4.572mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 9.98mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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