onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8 A 54 W, 3-Pin FDD86102LZ TO-252

RS Best.-Nr.:: 759-9475
Herst. Teile-Nr.:: FDD86102LZ
Marke:: onsemi

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8 A 54 W, 3-Pin FDD86102LZ TO-252

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RS Best.-Nr.:: 759-9475
Herst. Teile-Nr.:: FDD86102LZ
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	PowerTrench
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	40mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.82V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	18nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	54W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	2.39mm
	Länge	6.73mm
	Breite	6.22 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie PowerTrench
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.82V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 54W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 2.39mm
	Länge 6.73mm
	Breite 6.22 mm
	Automobilstandard Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8 A 54 W, 3-Pin FDD86102LZ TO-252

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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